Titre du projet de recherche
Électronique intégrée avancée pour environnements industriels difficiles
niveau d'étude
Maîtrise ou doctorat
Directeur/codirecteur
Directeur : Ahmad Hassan
Fin de l'affichage
30 juin 2025
Domaines d'expertise
Fabrication et mise sous enveloppe de semi-conducteurs
Pôle d'excellence principal
Nouvelles frontières en technologies de l'information et communications
Pôle(s) d'excellence secondaire(s)
Nouvelles frontières en technologies de l'information et communications
Unité(s) et département(s)
Département de génie électrique
Conditions
- Master (ou licence) en génie électrique avec un excellent parcours académique
- Solide expérience en conception de circuits intégrés AMS et caractérisation au niveau des transistors
- Expérience de recherche et publications antérieures dans des domaines pertinents
- Excellentes compétences en résolution de problèmes et passion pour la recherche
- Excellentes compétences en communication écrite et orale
Description détaillée
Je recherche des étudiants passionnés et motivés pour rejoindre mon groupe de recherche à Polytechnique Montréal, au Canada, pour des postes de doctorat et de maîtrise en conception de circuits intégrés analogiques et mixtes.
Titre du projet : Électronique intégrée avancée pour environnements industriels difficiles
Présentation du projet :
Ce projet vise à développer et tester des dispositifs et circuits électroniques pour applications haute température (HT) utilisant la technologie au nitrure de gallium (GaN), proposée par le Conseil national de recherches du Canada (CNRC).
Objectifs principaux :
1️) Caractérisation et modélisation compacte de dispositifs GaN : Caractérisation de dispositifs GaN et développement d’un modèle compact couvrant une large plage de températures (jusqu’à 500 °C) pour une conception et une simulation précises des circuits.
2️) Conception de circuits intégrés GaN : Conception et test de circuits complexes GaN pour applications haute température, notamment interfaces de capteurs, émetteurs RF, traitement du signal, pilotes de grille, convertisseurs A/N, etc.
Exigences :
Master (ou licence) en génie électrique avec un excellent parcours académique
Solide expérience en conception de circuits intégrés AMS et en caractérisation au niveau des transistors
Expérience de recherche et publications dans des domaines pertinents
Excellentes compétences en résolution de problèmes et passion pour la recherche
Excellentes compétences en communication écrite et orale
Date de début prévue : septembre 2025
Durée du projet : 4 ans
Possibilité de financement
Complètement financé
