Le laboratoire effectue la croissance et la caractérisation de couches minces semi-conductrices de composés III-V (famille InP) pour des applications électroniques et optoélectroniques.
La technique utilisée pour la croissance des couches est l'épitaxie en phase vapeur aux organo-métalliques (EPVOM ou MODCVD: Metal-organic chemical vapor deposition). Cette technique permet de déposer des couches semi-conductrices de très grande qualité (structurale, électrique, optique) avec un contrôle de l'épaisseur pouvant atteindre la monocouche atomique.
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Personnel de recherche
Professeurs / chercheurs : 1
Étudiants aux cycles supérieurs : 4
Stagiaires postdoctoraux : 1
Équipements spécialisés
Réacteur de croissance épitaxiale MOVPE(MOCVD); diffractomètre de rayons X à haute résolution (Philips); montage d'effet Hall (77K, 300 K); cryostat avec aimant supraconducteur Oxford.
