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Laboratoire d'épitaxie et de caractérisation de semi-conducteurs composés (MOCVD)

Tél. : (514) 340-4711 poste 4310 Téléc. : (514) 340-3218

Description des domaines de recherche

Le laboratoire effectue la croissance et la caractérisation de couches minces semi-conductrices de composés III-V (famille InP) pour des applications électroniques et optoélectroniques.

La technique utilisée pour la croissance des couches est l'épitaxie en phase vapeur aux organo-métalliques (EPVOM ou MODCVD: Metal-organic chemical vapor deposition). Cette technique permet de déposer des couches semi-conductrices de très grande qualité (structurale, électrique, optique) avec un contrôle de l'épaisseur pouvant atteindre la monocouche atomique.

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Personnel de recherche

Professeurs / chercheurs (1)
Nombre d'étudiants aux cycles supérieurs : 4
Nombre de stagiaires postdoctoraux : 1

Équipements spécialisés

Réacteur de croissance épitaxiale MOVPE (MOCVD); diffractomètre de rayons X à haute résolution (Philips); montage d'effet Hall (77K, 300 K); cryostat avec aimant supraconducteur Oxford.

Sources de financement externes

Nil